隨著半導體電子技術的發展，陶瓷基板和金屬線路層。對于電子封裝而言，大功率、小尺寸LED器件的散熱要求越來越高，封裝基板起著承上啟下，連接內外散熱通道的主要關鍵作用，同時兼有電互連和機械支撐等功能。因此成為LED封裝散熱基板材料的重要選擇。

 展至科技陶瓷基板在結構與制作工藝而言，陶瓷基板又是可分為高溫共燒多層陶瓷基板（HTCC）、低溫共燒陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接敷銅陶瓷基板（DBC）、直接鍍銅陶瓷基板（DPC）等。 

其中直接敷銅陶瓷基板和直接鍍銅陶瓷基板僅有一字之差，那么這兩種到底又是什么不同之處。

一、工藝不同

1. 直接覆銅陶瓷基板（DBC）：是在銅與陶瓷之間加入氧元素，在1065~1083℃溫度間得到Cu-O共晶液，隨后反應得到中間相（CuAIO2或CuAI2O4），從而實現Cu板和陶瓷基板化學冶金結合，最后就是通過光刻技術實現圖形制備形成電路。

   DBC可分為3層，中間絕緣材料是AI2O3或AIN。AI2O3的熱導率通常為24W/（m-k），AIN的熱導率則為170W/（m-k）。DBC基板的熱膨脹系數Al2O3/AlN相類似，非常接近LED外延材料的熱膨脹系數，可以顯著降低芯片與基板間所產生的熱應力。

2.直接鍍銅陶瓷基板（DPC）：直接鍍銅陶瓷基板(DPC)是將陶瓷基板做預處理清潔，利用半導體工藝在陶瓷基板上濺射銅種子層，再經曝光、顯影、蝕刻、去膜等光刻工藝實現線路圖案，最后再通過電鍍或化學鍍方式增加銅線路的厚度，移除光刻膠后即完成金屬化線路制作。

二、陶瓷基板DBC和DPC工藝區別

1、直接敷銅陶瓷基板（DBC）

優點：由于銅箔具有良好的導電、導熱能力，而氧化鋁能有效控制Cu-Al2O3-Cu復合體的膨脹，使DBC基板具有近似氧化鋁的熱膨脹系數，因此，DBC具有導熱性好、絕緣性強、可靠性高等優點，已廣泛應用于IGBT、LD和CPV封裝。特別是由于銅箔較厚（100~600μm），在IGBT和LD封裝領域優勢明顯。

缺點：

1）制備過程利用了在高溫下(1065℃)Cu與Al2O3間的共晶反應，對設備和工藝控制要求高，使基板成本偏高；

2）由于Al2O3與Cu層間容易產生微氣孔，降低了產品抗熱沖擊性能，這些缺點成為DBC基板推廣的瓶頸。

2、直接鍍銅陶瓷基板（DPC）

優點：

1）低溫工藝（300℃以下），完全避免了高溫對材料或線路結構的不利影響，也降低了制造工藝成本；

2）采用薄膜與光刻顯影技術，使基板上的金屬線路更加精細（線寬尺寸20~30m，表面平整度低于0.3m，線路對準精度誤差小于±1%），因此DPC基板非常適合對準精度要求較高的電子器件封裝。

缺點：

1）電鍍沉積銅層厚度有限，且電鍍廢液污染大；

    2）金屬層與陶瓷間的結合強度較低，產品應用時可靠性較低。