氮化鋁陶瓷基板主要有優(yōu)異的電性能和熱性能，也被認(rèn)為是最具有前途的高熱導(dǎo)陶瓷基板材料。主要是為封裝結(jié)構(gòu)的密封，元器件搭載及輸入、輸出端子的連接等目的，在氮化鋁陶瓷基板表面及內(nèi)部都需要金屬化。

陶瓷表面金屬化的可靠性和性能對(duì)陶瓷基板的應(yīng)用有著重要的影響，牢固的結(jié)合強(qiáng)度和優(yōu)良的氣密性是最基本的要求。為了考慮到基板的散熱性，還要求金屬和陶瓷界面處能夠具有較高的熱導(dǎo)率。氮化鋁陶瓷基板表面的金屬化方法有：薄膜法、厚膜法、高熔點(diǎn)金屬化法、化學(xué)鍍、直接覆銅法等。

在功率模塊是指將多個(gè)功率器件芯片以絕緣方式裝到金屬基板上進(jìn)行模塊化封裝的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，無論是IGBT模塊還是DC大功率模塊，散熱材料都是其重要“伴侶”之一，大功率半導(dǎo)體模塊在工作中會(huì)產(chǎn)生非常大的熱量，無論是在工程師采用那種散熱方式都是必須將熱量先從發(fā)熱源導(dǎo)出，將熱傳遞材料則是起到了橋梁的作用，而氮化鋁陶瓷基板無疑是最好的散熱基板選擇。

氮化鋁陶瓷基板是以氮化鋁（AIN）為主要的一種特殊陶瓷，晶體以四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。化學(xué)組成AI65.81%、N34.19%，比重為3.261g/cm3，氮化鋁陶瓷片通常成品陶瓷件顏色為白灰色或灰白色，熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)210W/(m.k)，是氧化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱效率的5-8倍，能耐2200℃以上的高溫。氮化鋁陶瓷基板具有熱導(dǎo)率高、機(jī)械性能穩(wěn)定強(qiáng)和優(yōu)點(diǎn)的電氣絕緣性能，具有極高的絕緣電阻和低的介質(zhì)損耗，也是新一代大規(guī)模集成電路以及功率電子產(chǎn)品的理想導(dǎo)熱陶瓷基板材料。

氮化鋁陶瓷基板選用了高純度氮化鋁粉體燒結(jié)，經(jīng)干壓成型加工，使陶瓷基板具備耐高溫磨損、導(dǎo)熱絕緣等性能，在進(jìn)行激光進(jìn)行陶瓷基板激光切割精加工處理，使其成為適合大功率模組散熱使用的導(dǎo)熱材料。