隨著高新科技的不斷發展，對于目前需要的氣密封裝的光學器件，通常需要在dpc陶瓷基板上設置箱壩，利用箱圍壩里所配置的空間并可填充封裝膠，從而實現更佳的氣密性。

現有的技術中，一般是采用金屬圍壩，利用焊料直接焊接在鍍銅dpc陶瓷基板上，雖然這種方式可以焊接連接箱壩和dpc陶瓷基板，但是，由于熔斷銅點較高，那么這種封裝最需要800℃以上的高溫通過箱壩焊接在dpc陶瓷基板上，這個高溫是對dpc陶瓷基板最大的考驗，對dpc陶瓷基板的影響很大。而產品質量在這種高溫的焊接方式既消耗能量，又不利于量化生產。

對于針對現有技術存在的消失，其主要目的在于提供一種帶金屬圍壩的dpc陶瓷基板制備方法，然而它可以有效解決現有采用高溫方式和采用箱壩焊接在dpc陶瓷基板上，那么這容易造成質量下降和功耗不利于量化生產的問題。為實現上述情況，一種帶金屬圍壩的dpc陶瓷基板制備方法，包括以下幾個步驟：

（1）制作陶瓷基板和圍壩；

（2）陶瓷基板上電鍍熔點為240℃-400℃合金材料形成第一焊層，圍壩外表面電鍍熔點為240℃-400℃合金材料形成第二焊接層；

（3）在第一焊縫表面覆蓋一層氧化皮粉或焊料形成關節面，在陶瓷基板上放置圍壩，使第二焊縫層層疊在關節面，形成半成品；

（4）半成品交叉回流焊，在惰性氣體保護下，溫度控制在240℃-400℃之間。使第一焊層和第二焊層焊接在一起；

（5）取出冷卻即可形成成品；

作為一種可選方案，所述陶瓷基板包括基板、上銅板和下銅板，在其上銅板和下銅板分別設置在基板的上下表面，其上設有通孔該基板，該過孔的導通連接在銅板和下銅板之間，且上述第一焊接層設置在銅板的表面上。

    以上就是本文通過在dpc陶瓷基板和圍壩上預先鍍上熔點，為240℃-400℃的合金材料形成第一焊縫層和第二焊縫層，并配合氧化皮粉或者在第一焊縫層和第二焊縫層之間放置焊料，然后再過回流焊，將第一焊縫層和第二焊縫層焊接在一起，本發明方法可以在240℃的低溫環境下進行。400℃，有效防止高溫對產品質量的影響，工藝簡單，最節能，易于再次量產，本發明方法可用于Can、IC、LED等級別的密封封裝和芯片封裝，具有廣闊的應用前景，尤其是目前有望興起的開發UV LED是一種實現量產的有效途徑。