隨著半導體工業(yè)的發(fā)展，電力電子器件技術不斷朝著高電壓、大電流、大功率密度、小尺寸的方向發(fā)展，對于一些功率半導體是指在電子設備中用于電源轉換或者電源管理的半導體。在對節(jié)能減排的需求迫切下，功率半導體的應用領域已從工業(yè)控制和4C領域，進入新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場。

在國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基板已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，也相繼發(fā)展起了一些能穩(wěn)定批量供貨的中型企業(yè)，然而對于氮化硅陶瓷基板，國內(nèi)市場的進度就比較落后，仍未實現(xiàn)氮化硅基板的大批量供貨。相對來說國內(nèi)的氮化硅原材料制備、陶瓷基板批量化工藝研發(fā)等技術水平與國外存在較大差距，氮化硅陶瓷基板成為約束我國電動汽車、led照明等重要產(chǎn)業(yè)的自主化生產(chǎn)的瓶頸。

高強度的氮化硅絕緣材料可以滿足對功率模塊中，日益增長的更長使用壽命和更高的熱性能的需求。就以電源模塊設計為例，其中芯片溫度從150℃升至200℃，可將開關損耗降低10%，更高的使用溫度對基板的導熱能力也提出了更高的要求，加之焊料和無引線鍵合模塊之類的新封裝技術讓當前的基板（主要是氧化鋁及氮化鋁）成為薄弱環(huán)節(jié)，采用具有優(yōu)異的彎曲強度，高斷裂韌性和良好的導熱性的氮化硅陶瓷基板可以讓器件可靠性更高、熱循環(huán)能力出色，使用壽命更長。

氮化硅基板厚度影響絕緣性，當?shù)杼沾苫搴穸葴p薄為0.30mm時，絕緣性難以得到充分保證，提供了熱導率為50W/m-k以上、3點彎曲強度為600mpa以上的高熱導率性薄型氮化硅陶瓷基板，厚度為0.1~0.7mm，優(yōu)選為0.1~0.3mm。氮化硅陶瓷本身具有硬度大、強度高、熱膨脹系數(shù)小、抗氧化性能好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小、與用油潤滑的金屬表面相似等諸多優(yōu)異性能，也是綜合性最好的結構陶瓷材料。

如今信息技術的高速發(fā)展，集成電路的集成度越來越高，排線密度越來越大。電子封裝基板若不能及時散熱，大量的熱會聚集在集成電路之上，最終導致其失效與損壞，因此基板的導熱性能極為重要。氮化硅陶瓷是綜合性能最好的結構陶瓷材料。單晶氮化硅的理論熱導率可達400W·m以上，具有成為高導熱基片的潛力，另外，其優(yōu)良的力學性能和良好的高導熱潛質使氮化硅陶瓷基板有望彌補現(xiàn)有氧化鋁、氮化鋁等基板材料的不足，在電子封裝基板應用方面極具市場前景。