如今電子封裝基板的種類很多，常用的基板主要分為塑料封裝基板、金屬封裝基板和陶瓷封裝基板。塑料封裝材料通常導熱率低、可靠性差，不適合高的要求。金屬封裝材料導熱系數高，但一般熱膨脹系數不匹配，價格高。

主要陶瓷基板常用于電子封裝與塑料基板和金屬基板相比，陶瓷基板具有以下優點： 

    1）絕緣線性能好，可靠性高；

    2）介電系數低，高頻性能好；

    3）熱膨脹系數低，導熱系數高；

    4）氣密性好，化學性能穩定，對電子系統起到很強的保護作用；

因此陶瓷基板，它適用于航空、航天和軍事工程高可靠性、高頻耐高溫、氣密性的產品包裝。超小型貼片電子元件廣泛應用于移動通訊、計算機、家用電器和汽車電子等領域，其載體材料常采用陶瓷基板封裝。

目前幾種常用的電子封裝陶瓷基板材料有氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、碳化硅、氮化硼、氧化鈹。

1、氧化鋁陶瓷基板

氧化鋁陶瓷基板一般是指以氧化鋁為主要原料，主要為氧化鋁晶相，氧化鋁含量在各類陶瓷中的75%以上，原料來源豐富，成本低、機械強度和硬度高，絕緣性能好并具有熱沖擊性能好、耐化學腐蝕、尺寸精度高、與金屬附著力好等優點，是一種綜合性能較好的陶瓷基板材料。氧化鋁陶瓷基板廣泛應用于電子工業，占陶瓷基板總量的90%，已成為電子工業不可缺少的材料。

氧化鋁陶瓷基板雖然產量大應用廣泛，但由于其導熱率比單晶硅高，在高頻、大功率和超大規模集成電路的應用上受到限制。

2、氮化鋁陶瓷基板

氮化鋁陶瓷基板是一種新型基板材料，氮化鋁晶體的晶格常數為a=0.3110nm，c=0.4890nm，六方晶系，基于氮化鋁四面體結構單元的釬鋅礦共價鍵化合物，具有良好的導熱性、可靠的電絕緣性、低介電常數和介電損耗、無毒、與硅的熱膨脹系數相匹配等一系列優良特性，被認為是新一代高集成度半導體基板和電子封裝的理想選擇材料。

氮化鋁陶瓷基板核心原料氮化鋁粉的制備工藝復雜、能耗高、周期長、成本高。高成本限制了氮化鋁陶瓷基板的廣泛應用，因此氮化鋁陶瓷基板主要應用于高端行業。

3、氮化硅陶瓷基板

氮化硅具有三種晶體結構，其中氮化硅最常見的形態，均為六方結構。氮化硅具有硬度大、強度高、熱膨脹系數小、抗氧化性好、熱腐蝕性能好、摩擦系數小等許多優良性能。單晶氮化硅的理論熱導率高達400W/（m.k），具有成為高熱導率襯底的潛力。此外，氮化硅的熱膨脹系數約為3.0x10-6℃，與Si、SiC、GaAs等材料具有良好的匹配性，使氮化硅陶瓷基板成為非常有吸引力的高強度高導熱電子器件基板材料。

然而，氮化硅陶瓷介電性能較差（介電常數為8.3，介電損耗為0.001~0.1），生產成本高限制了其作為電子封裝陶瓷基板的應用。

4、碳化硅陶瓷基板

碳化硅陶瓷基板具有較高的熱導率，在高溫下為100w/(m·k)～400W/(m·k)，是氧化鋁的13倍。抗氧化性能好分解溫度在2500℃以上，在1600℃的氧化氣氛中仍可使用，而且電絕緣性好，熱膨脹系數低于氧化鋁和氮化鋁，碳化硅陶瓷基板具有強共價鍵特性難以燒結。通常添加少量硼或氧化鋁作為燒結助劑以提高密度。實驗表明，鈹、硼、鋁及其化合物是最有效的添加劑，可使SiC陶瓷的密度達到98%以上。

但碳化硅的介電常數太高，是氮化鋁的4倍，抗壓強度低，只適合低密度封裝，不適合高密度封裝。除集成電路元件、陣列元件和激光二極管等外，還用于具有導電性的結構件。

5、氧化鈹陶瓷基板

氧化鈹是僅有六方釬鋅礦結構的堿土金屬氧化物，由于氧化鈹具有纖鋅礦和強共價鍵結構，相對分子質量低，因此具有較高的熱導率，氧化鈹是氧化鋁的10倍左右，其熱導率在常溫可達250 w/(m·K)，與金屬的導熱性好，在高溫、高頻下，其電性能好，耐熱性好，耐熱沖擊性好，化學穩定性好。

雖然氧化鈹有一些良好的性能，但其致命的缺點是其粉末的極端毒性。長期吸入氧化鈹粉塵會引起中毒甚至危及生命，還會造成環境污染，極大地影響氧化鈹陶瓷基板的生產和應用[5]。此外，氧化鈹生產成本高，限制了其生產和應用。其用途僅限于以下幾個方面：大功率晶體管的散熱片、高頻大功率半導體器件的散熱片、發射管、TWTS、激光管、速調管等。氧化鈹陶瓷基板有時用于航空電子和衛星通信具有高導熱性和理想的高頻特性。

6、氮化硼陶瓷基板

氮化硼可以以兩種不同的形式結晶：六方晶和立方晶。其中立方晶BN硬度高，耐高溫1500~1600℃，適用于超硬材料。在正確的熱處理下，六方氮化硼可以在非常高的溫度下保持很高的化學和機械穩定性。BN材料具有較高的熱穩定性、化學穩定性和電絕緣性，同時BN陶瓷的熱導率與常溫不銹鋼相當，介電性能好。BN比大多數陶瓷脆性好，熱膨脹系數小，抗熱震性強，能承受1500℃以上溫差的急劇變化。

   立方BN和六方BN都是在高溫高壓下制備的，都是典型的共價鍵晶體。由于其導熱系數高，導熱系數幾乎不隨溫度變化，介電常數小，絕緣性能好，BN被應用于雷達窗口、大功率晶體管的管座、管殼、散熱片和微波輸出窗口。但立方BN太貴，不能用于生產高導熱陶瓷材料。熱膨脹系數與硅的不匹配也限制了它的應用。