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      新聞資訊

      了解陶瓷基板在大功率IGBT模塊中為何會(huì)失效,具體分析?

       時(shí)間:2022-08-15     瀏覽:2137     分享

      高壓電源模塊在許多應(yīng)用中用于構(gòu)建高功率轉(zhuǎn)換器。從技術(shù)上講,這些模塊由不同的材料制成,其中介電材料有有機(jī)和無(wú)機(jī)。有機(jī)絕緣體(凝膠)用于避免連接線和高壓附近的電暈放電管芯(二極管和晶體管)并保護(hù)它們免受濕氣和污染物的影響。

       

      無(wú)機(jī)絕緣體(陶瓷基板)用于隔離接地元件的高壓并將熱量傳遞到散熱器。盡管自 90 年代后期開(kāi)始使用,但仍缺乏有關(guān)這些基板的電性能的基礎(chǔ)知識(shí)。因此,制造商傾向于通過(guò)加大尺寸來(lái)確保可靠性。由于沒(méi)有明確的規(guī)則說(shuō)明如何做到這一點(diǎn),因此會(huì)發(fā)生故障,導(dǎo)致轉(zhuǎn)換器關(guān)閉。本研究的目的是為了解這些模塊中使用的陶瓷材料的介電強(qiáng)度提供新的信息。我們通過(guò)相關(guān)實(shí)驗(yàn)將工作重點(diǎn)放在陶瓷的機(jī)械性能和介電性能之間的相關(guān)性上。

       

      根據(jù)機(jī)電擊穿模型,我們提供了有關(guān)現(xiàn)有裂紋對(duì)陶瓷介電失效影響的新信息。我們的結(jié)論提供了有關(guān)在功率模塊中制造和實(shí)施這些基板以降低發(fā)生此類可能性的可能性的預(yù)防措施的重要信息失敗的具體原因。

       

      一、模塊和陶瓷

      目前使用的高壓電力電子系統(tǒng)是基于一個(gè)基本的稱為功率模塊的磚,其中封裝了有源半導(dǎo)體。在這個(gè)組件中,人們發(fā)現(xiàn)了不同的材料,它們的功能是確保半導(dǎo)體與其環(huán)境之間的互連、絕緣和熱交換。電源模塊的簡(jiǎn)化示意圖如圖1所示。

       

      半導(dǎo)體的互連及其與散熱器(接地)的絕緣主要由稱為基板的單個(gè)元件實(shí)現(xiàn)。此外,其主要功能之一是保證半導(dǎo)體與其環(huán)境之間的電絕緣。此外,它還必須確保排出半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量。這些基板由金屬導(dǎo)體和絕緣材料組成。當(dāng)熱要求很高時(shí),陶瓷是首選,因?yàn)樗鼈兙哂懈邔?dǎo)熱性(>20 W/m?K)。不同的陶瓷材料用于基板加工(例如 BeOSi3N4AlN.不同的技術(shù)允許將陶瓷連接到導(dǎo)電金屬上,例如 DBC(直接銅焊)或 AMB(活性金屬釬焊)。基材的可靠性通常與陶瓷材料與所用金屬的機(jī)械性能有關(guān)。隨著新型寬帶隙半導(dǎo)體的發(fā)展,

      SiC GaN,更高的電壓和更高的電流密度可能會(huì)增加對(duì)內(nèi)部陶瓷材料的絕緣要求底物。

       

      1、不同的原因可能導(dǎo)致模塊故障:

      - 模具故障

      - 鍵合線切割

      - 焊點(diǎn)分層

      - 封裝凝膠介電擊穿

      - 基板介電擊穿

       

      基板的設(shè)計(jì)和選擇取決于幾個(gè)參數(shù),例如金屬-陶瓷組件的機(jī)械性能、陶瓷的熱性能及其電絕緣能力。作為基本原理,如果陶瓷材料能夠達(dá)到非常高的工作電壓,因此可以減小其厚度,從而降低沿排熱路徑的熱阻。電介質(zhì)因此,強(qiáng)度是這些功率模塊中使用的陶瓷材料的關(guān)鍵尺寸參數(shù)。盡管如此,關(guān)于工藝參數(shù)、陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和介電擊穿場(chǎng)之間關(guān)系的可用信息很少。

       

      1用于封裝半導(dǎo)體芯片的功率模塊示意圖

      對(duì)于陶瓷基板,與其他固體材料一樣,介電擊穿的起源很大程度上取決于發(fā)生介電擊穿的熱力學(xué)條件。例如,在非常高的溫度下使用的氧化鋁和其他陶瓷(>600?C),由于其高導(dǎo)電性,將顯示熱擊穿。然而如果我們考慮到當(dāng)前使用的模塊的溫度要低得多(即Si芯片為 135?C),則基板將面臨較低的工作溫度。在這些溫度下,熱擊穿已被排除在可能的機(jī)制之外。

       

      以前的工作指出,陶瓷在室溫下的電擊穿可能與其機(jī)械性能密切相關(guān)。假設(shè)電場(chǎng)引起陶瓷材料內(nèi)預(yù)先存在的裂紋的擴(kuò)展。該假設(shè)已在高電場(chǎng)(短期擊穿)或中等電場(chǎng)(老化研究)下進(jìn)行了研究。

       

      該假設(shè)在文獻(xiàn)中被描述為機(jī)電介電擊穿,基于該理論與脆性材料中的機(jī)械擊穿的類比。 在這樣的模型中,預(yù)先存在的裂紋或缺陷在外加電場(chǎng)的影響下傳播,直到最終擊穿(圖 2)。

       

      驗(yàn)證這一假設(shè)的主要挑戰(zhàn)之一是控制陶瓷中初始缺陷或裂紋的大小。以前的嘗試包括使用在不同溫度下燒結(jié)的陶瓷,具有不同的微觀結(jié)構(gòu)或具有不同的成分。這可能會(huì)導(dǎo)致所研究材料的固有介電擊穿強(qiáng)度發(fā)生變化,從而可能使結(jié)果產(chǎn)生偏差。

       

      在這項(xiàng)工作中,我們將采用機(jī)械預(yù)應(yīng)力,以便在陶瓷內(nèi)部產(chǎn)生不同尺寸的缺陷,而不改變其微觀結(jié)構(gòu)的化學(xué)成分。主要用于功率模塊的氧化鋁(Al2O3)基板已被選為代表性樣品。 結(jié)果將面臨機(jī)電擊穿模型。最后,將對(duì)我們的實(shí)驗(yàn)進(jìn)行分析,以提取關(guān)于陶瓷基板制造過(guò)程中可以考慮的設(shè)計(jì)規(guī)則的建議。

       

      2、介電擊穿的起源

      這項(xiàng)工作的目的是了解用于制作電力電子基板的陶瓷的電擊穿機(jī)制。固體的介電擊穿可以分為三種類型,具體取決于潛在的物理現(xiàn)象:

      1)電子起源(電子雪崩或場(chǎng)或本征效應(yīng));

      2)熱起源,它消散由傳導(dǎo)電流引起的熱量或介電損耗和;

      3) 解釋材料無(wú)法承受由電場(chǎng)引起的機(jī)械應(yīng)力的機(jī)電起源;

       

      2機(jī)電故障的一般模型(受 Griffith 提議的啟發(fā))

      一般來(lái)說(shuō),這些機(jī)制不是獨(dú)立的,可能會(huì)相互作用,直到最終崩潰。 因此,通常難以確定和隔離導(dǎo)致介電擊穿的一種物理現(xiàn)象。

       

      二、實(shí)驗(yàn)程序

         1、研究中的陶瓷材料

      選擇的陶瓷材料是工業(yè)可用的氧化鋁 (Al2O3)板(厚度635μm),通常用于電源模塊的DBC陶瓷基板。據(jù)報(bào)道,氧化鋁的純度為96%4%的其他燒結(jié)添加劑和雜質(zhì)(主要是SiBMgCa)。通過(guò)掃描電子顯微鏡觀察到氧化鋁的平均晶粒尺寸為4 μm(圖3)。

       

      為了限制加工條件造成的分散,我們特別注意確保來(lái)自同一制造商的氧化鋁板是從同一批號(hào)中提取的。 隨機(jī)抽樣(18 次測(cè)試)表明,分析批次的介電擊穿為 21 kV/mm(在室溫下)。 分解實(shí)驗(yàn)在第 2.3 節(jié)中有詳細(xì)說(shuō)明。 然后通過(guò)激光切割將氧化鋁板從收到的 115 × 115 mm 尺寸切割成 38 × 38 mm 的較小板。 激光切割后,中心部分的介質(zhì)擊穿場(chǎng)氧化鋁保持不變。

       

      (圖3研究中氧化鋁的微觀結(jié)構(gòu))

      2、機(jī)械預(yù)應(yīng)力

      在機(jī)電擊穿模型中,由于存在缺陷,介電擊穿強(qiáng)度受到限制,類似于格里菲斯的提議用于機(jī)械故障。在其最基本的形式中,這些缺陷可能是材料主體內(nèi)部的裂縫、裂縫或任何機(jī)械不連續(xù)性。如前所述,為了避免任何化學(xué)或微觀結(jié)構(gòu)修改,我們對(duì)氧化鋁樣品施加了機(jī)械預(yù)應(yīng)力。機(jī)械應(yīng)力可以通過(guò)壓縮、牽引或彎曲施加。考慮到氧化鋁的高抗壓強(qiáng)度,我們決定施加彎曲力。施加彎曲應(yīng)力的最簡(jiǎn)單配置之一是通過(guò)3點(diǎn)彎曲測(cè)試(圖4a)。我們假設(shè)在這種配置中,裂紋將在3點(diǎn)彎曲配置的最大拉伸應(yīng)力區(qū)域產(chǎn)生,即在上沖頭施加力的中心區(qū)域(圖 4b)。在這些條件下,初始裂紋將擴(kuò)展或形成新裂紋。氧化鋁的壓縮(2000 GPa)和拉伸(200 GPa)強(qiáng)度的巨大差異將有利于陶瓷材料橫截面的拉伸區(qū)域(與上柱塞接觸點(diǎn)相反)形成裂紋.

      施加的總機(jī)械應(yīng)力是樣品尺寸和測(cè)試臺(tái)幾何形狀的函數(shù),如下所示:

       

      4(a)用于在氧化鋁板上施加機(jī)械預(yù)應(yīng)力的三點(diǎn)彎曲試驗(yàn)臺(tái),(b)在氧化鋁板底部產(chǎn)生拉應(yīng)力。其中M是彎矩l是支撐(外)跨度的長(zhǎng)度,F是斷裂點(diǎn)處的載荷(力),B是樣品的底部,h是樣品的有效厚度。

       

      由于裂紋或裂紋網(wǎng)絡(luò)的形成減少了氧化鋁板的有效截面,如果施加恒定的力,實(shí)際應(yīng)力將隨著裂紋沿材料厚度的傳播而增加。最終裂紋尺寸將與其初始尺寸、施加的力和在這種力下花費(fèi)的時(shí)間相關(guān)。進(jìn)行了一系列測(cè)試以確定電氣擊穿之前的機(jī)械預(yù)應(yīng)力條件(力和應(yīng)用時(shí)間)。擊穿時(shí)間(機(jī)械)與施加力的特性如圖5所示。

       

      可能施加的最大力為 180 N,這對(duì)應(yīng)于所研究的氧化鋁的機(jī)械彎曲強(qiáng)度。試圖研究所有適用的力。但是,需要從機(jī)械測(cè)試中運(yùn)輸樣品工作臺(tái)到介電擊穿試驗(yàn)臺(tái),對(duì)于高值的力 (>100 N),即使是短時(shí)間的預(yù)應(yīng)力也可能在樣品操作過(guò)程中破壞樣品。在這項(xiàng)研究中樣品被預(yù)應(yīng)力從20 N80 N,施加力1分鐘。這使得樣品可以在沒(méi)有損壞樣品的風(fēng)險(xiǎn)的情況下進(jìn)行處理。用氈尖筆標(biāo)記樣品以識(shí)別力柱接觸的區(qū)域。

       

      2、預(yù)應(yīng)力氧化鋁的介電擊穿

      介電強(qiáng)度測(cè)量在平面尖端配置中進(jìn)行。與樣品接觸的尖端是直徑為1 mm的圓柱體。由自耦變壓器調(diào)節(jié)的交流發(fā)電機(jī)由步進(jìn)電機(jī)控制,以調(diào)節(jié)施加電壓幅度的斜坡。以1.6 kV/s的斜率獲得短期介電擊穿值。電介質(zhì)擊穿檢測(cè)和電壓切斷是由電流的快速增加觸發(fā)的。將樣品浸入介電流體 (Galden HT270) 中以避免表面閃絡(luò)。 氈尖筆線有助于將尖端定位在最大應(yīng)力區(qū)域,以在該區(qū)域引起介電擊穿。針對(duì)每個(gè)樣品的機(jī)械預(yù)應(yīng)力繪制了介電擊穿值的結(jié)果。

       

      (圖5擊穿時(shí)間(機(jī)械)與應(yīng)用機(jī)械正在研究的 635 μm 氧化鋁板的力)

       

      3、結(jié)果與討論

      7顯示了介電擊穿后的陶瓷板。氧化鋁板的尺寸允許每個(gè)樣品進(jìn)行 3 4 次介電擊穿測(cè)試。

      Weibull 圖中繪制結(jié)果時(shí),我們可以很容易地發(fā)現(xiàn),預(yù)應(yīng)力樣品所得結(jié)果的離散度明顯高于無(wú)應(yīng)力樣品 (0 N) 所得結(jié)果的離散度(圖 8)。

      為了更好地觀察機(jī)械預(yù)應(yīng)力的影響,僅繪制了從雙系數(shù) Weibull 分布中提取的介電擊穿的 α 參數(shù)(累積概率為 63.2%)(圖 9)。

      盡管這些值存在顯著差異,但我們可以觀察到氧化鋁在受到機(jī)械預(yù)應(yīng)力時(shí)的介電強(qiáng)度下降隨著機(jī)械預(yù)應(yīng)力值的增加α參數(shù)的降低更為重要。Ebr 值差異很大的原因之一可能源于我們

       

      6(a)初始裂紋長(zhǎng)度為 l0 的參考樣品,(b)增加陶瓷內(nèi)部裂紋長(zhǎng)度的機(jī)械預(yù)應(yīng)力,總長(zhǎng)度為 l0 + lm(c) 介電擊穿預(yù)應(yīng)力陶瓷。

       

      7介電分解的氧化鋁樣品。 頂面經(jīng)受壓縮(黑線,氈尖筆),底面經(jīng)受拉應(yīng)力。 紅色圓圈表示氧化鋁表面上的破裂通道出口點(diǎn)。

       

      8預(yù)應(yīng)力氧化鋁板介電擊穿的完整結(jié)果(080 N 1分鐘)

       

      9預(yù)應(yīng)力氧化鋁介電擊穿的 α 值板(0 80 Ntappl = 1 分鐘),誤差線對(duì)應(yīng)90% 置信區(qū)間。

       

      將高壓尖端與最大應(yīng)力區(qū)域完美對(duì)齊。 氈尖筆厚 1 毫米,受力區(qū)域的確切寬度暫時(shí)未知。Ebr 值大分散的另一個(gè)原因可能是裂紋擴(kuò)展本身的性質(zhì),特別是如果裂紋不是均勻的 沿應(yīng)力平面分布。

       

      氧化鋁的介電擊穿結(jié)果表明,較低的機(jī)械預(yù)應(yīng)力具有較高的介電強(qiáng)度假設(shè)一個(gè)恒定的延伸速度,介電強(qiáng)度的演變與預(yù)應(yīng)力裂紋的演變相關(guān),這支持了機(jī)械性能對(duì)氧化鋁介電擊穿現(xiàn)象的貢獻(xiàn)。這可以通過(guò)以下事實(shí)來(lái)解釋:氧化鋁基陶瓷的介電失效機(jī)制與裂紋的傳播密切相關(guān),并且后者會(huì)影響介電強(qiáng)度。

       

      我們應(yīng)該考慮到,出于應(yīng)用目的,氧化鋁(或第1節(jié)中提到的任何其他陶瓷)是與其他材料組成的復(fù)雜組件的一部分,其中金屬與基板組件直接接觸。雖然有一些研究強(qiáng)調(diào)了陶瓷基板組件中的初始機(jī)械性能的重要性,但此處提供的數(shù)據(jù)表明氧化鋁的其他加工參數(shù)可能是相關(guān)的。這可能表明需要考慮陶瓷的機(jī)械歷史,因?yàn)樗鼘?duì)介電強(qiáng)度值有影響。

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