隨著國(guó)內(nèi)外LED行業(yè)向高效率、高密度、大功率等方向發(fā)展，從2017到2022就可以看出，整體國(guó)內(nèi)LED有了突飛猛進(jìn)的進(jìn)展。功率也是越來(lái)越大，開(kāi)發(fā)性能優(yōu)越的散熱材料已成為解決LED散熱問(wèn)題的當(dāng)務(wù)之急。為了使LED結(jié)溫保持在較低溫度下，必須采用高熱導(dǎo)率、低熱阻的散熱基板材料和合理的封裝工藝，以降低LED總體的封裝熱阻。那么影響氮化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱系數(shù)的因素有哪些？

氮化鋁是一種人工合成礦物，并非天然存在于大自然中。AIN的晶體結(jié)構(gòu)類型為六方釬鋅礦型，具有密度小(3.26g/cm3)、強(qiáng)度高、耐熱性好（約3060℃分解）、熱導(dǎo)率高、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。AlN是一種強(qiáng)共價(jià)鍵化合物，其熱傳導(dǎo)機(jī)理是晶格振動(dòng)（即聲子傳熱）。由于Al和N的原子序數(shù)小，從本性上決定了AlN具有很高的熱導(dǎo)率，其熱導(dǎo)率理論值可高達(dá)319W/m.K。但在實(shí)際產(chǎn)品中，由于AlN的晶體結(jié)構(gòu)不可能完全均勻分布，并存在很多雜質(zhì)和缺陷，使得其熱導(dǎo)率般只有170-230W/m.K。

氮化鋁陶瓷的主要特點(diǎn)：

1、導(dǎo)熱系數(shù)高，是氧化鋁陶瓷的5-10倍；

2、熱膨脹系數(shù)（4.3x10-6℃）與半導(dǎo)體硅材料（3.5-4.0x10-6℃）相匹配；

3、良好的機(jī)械性能；

4、優(yōu)良的電氣性能，具有極高的絕緣電阻和低的介電損耗；

5、可進(jìn)行多層布線，實(shí)現(xiàn)封裝的高密度化和小型化；

6、無(wú)毒、有利于環(huán)保；

影響氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)的多種因素：

在300k時(shí)，氮化鋁單晶材料的理論導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)319W（m-k），但在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，由于材料的純度，內(nèi)部存在缺陷（位錯(cuò)、氣孔、雜質(zhì)、晶格畸變）、晶粒 導(dǎo)熱系數(shù)還受取向、燒結(jié)工藝等多種因素的影響，往往低于理論值。