氮化鋁用作覆銅基板材料的優點

目前，高性能氮化鋁陶瓷板在先進封裝工藝中用作導熱基板，銅直接粘合在氮化鋁上，以進一步設計電路、表面貼裝晶體管和功率二極管。由于其良好的熱學和電學性能，AlN已逐漸成為此類基板設計的首選材料，可用作大功率器件的絕緣基板、VLSI的散熱基板和封裝基板等。

氮化鋁覆銅板具有氮化鋁的導熱性和機械強度，以及銅的導熱性和導電性，因此在航空航天領域具有很大的應用潛力。此外，“銅-氮化鋁-銅”夾層結構可以在電子系統的模塊化和集成化中發揮關鍵作用，作為功率模塊的機械支撐、電氣隔離和散熱路徑。值得注意的是，在氮化鋁覆銅板的應用中，AlN和Cu之間的界面鍵合非常重要，界面相決定了陶瓷與金屬銅層之間的結合力。氮化鋁覆銅板的常規制備工藝包括熱壓法和DBC。

熱壓法需要通過磁控濺射在AlN表面濺射金屬層，然后引入銅片進行熱壓。DBC方法需要對AlN陶瓷和Cu片進行預氧化，然后進行熱處理以粘合。DBC法制備的基材剝離強度約為熱壓法的4倍，Cu和AlN可以形成更強的結合力，在惡劣工況的航空航天領域具有較好的應用前景。