AMB陶瓷基板已成為關(guān)鍵參與者

在一個(gè)技術(shù)進(jìn)步無止境的世界中，金屬化陶瓷基板已成為關(guān)鍵參與者，使各個(gè)行業(yè)的創(chuàng)新成為可能。這些多功能材料因其獨(dú)特的電氣、熱和機(jī)械性能組合，在從電子到航空航天的各種應(yīng)用中越來越突出。

目前陶瓷基板的主要材料以氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）三類為主。氧化鋁陶瓷基板價(jià)格低廉，生產(chǎn)工藝成熟，目前產(chǎn)量最大，應(yīng)用面最廣。但是，氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性能已無法滿足大功率芯片的散熱要求。綜合來看，氮化鋁陶瓷基板與氮化硅陶瓷基板最具發(fā)展前景。

陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。

AMB陶瓷基板是DBC工藝的進(jìn)一步發(fā)展，該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接，其鍵合強(qiáng)度高、可靠性好。

AMB工藝生產(chǎn)的陶瓷基板主要運(yùn)用在功率半導(dǎo)體模塊上作為硅基、碳化基功率芯片的基底，AMB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁和氮化硅陶瓷與銅片的覆接，相比DBC襯板有更優(yōu)的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合力、可靠性等，可大幅提高陶瓷襯板可靠性，更適合大功率大電流的應(yīng)用場景，逐步成為中高端IGBT模塊散熱電路板的主要應(yīng)用類型。

此外，由于AMB氮化硅基板有較高熱導(dǎo)率，可將非常厚的銅金屬（厚度可達(dá)0.8mm）焊接到相對(duì)薄的氮化硅陶瓷上，載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近，使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定，因此成為SiC半導(dǎo)體導(dǎo)熱基板材料首選，特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)用中不可或缺。

【文章來源】：展至科技

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